FC-SANをさらに高速化させるシリコンストレージ

RamSan300/400/440は、高速性を追求して設計された半導体ディスク装置です。一次記憶装置として、SDRAMを用いた高速なデータ記憶方式が採用されており、3GB/秒の内部帯域幅、400,000IOPSの処理能力、ゼロ遅延が実現されているため(いずれもRamSan-400モデル)、ディスクベースの高速なRAID装置では不可能な驚異的なパフォーマンスが得られます。
(輸入元：システムクリエイト株式会社)